ترانزیستور B647

ترانزیستور B647

مشخصات و کاربردها

ترانزیستور B647 یک ترانزیستور PNP سیلیکونی است که در بسیاری از مدارهای تقویت‌کننده کم‌فرکانس و مدارهای عمومی به‌کار می‌رود. این ترانزیستور با ویژگی‌های فنی عالی برای تقویت سیگنال‌ها و کاربردهای الکترونیکی مختلف مناسب است.

مشخصات فنی ترانزیستور B647

• جنس نیمه‌هادی: سیلیکون (Si)
• قطبیت: PNP
• حداکثر توان مصرفی: 900 میلی‌وات
• حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb): 120 ولت
• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce): 80 ولت
• حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb): 5 ولت
• حداکثر جریان کلکتور (Ic): 1 آمپر
• حداکثر دمای محل پیوند (Tj): 150 درجه سانتی‌گراد
• فرکانس انتقال (Ft): 140 مگاهرتز
• ظرفیت خازنی کلکتور (Cc): 20 پیکوفاراد
• حداقل بهره جریان (Hfe): 60
• قاب ترانزیستور: TO92

کاربردهای ترانزیستور B647

ترانزیستور B647 عمدتاً در تقویت‌کننده‌های کم‌فرکانس (Low Frequency Power Amplifiers) و مدارهای عمومی مانند مدارهای آنالوگ و دیجیتال استفاده می‌شود. این ترانزیستور با توان مصرفی پایین و جریان بالا، برای تقویت سیگنال‌ها در طیف وسیعی از پروژه‌ها مناسب است.

ویژگی‌های کلیدی ترانزیستور B647

• عملکرد در دماهای بالا: ترانزیستور B647 قادر به کارکرد در دمای 150 درجه سانتی‌گراد است.
• فرکانس بالا: با فرکانس انتقال 140 مگاهرتز، این ترانزیستور برای مدارهای با نیاز به فرکانس‌های بالا بسیار مناسب است.
• توان مصرفی کم: با توان مصرفی 900 میلی‌وات، ترانزیستور B647 برای استفاده در مدارهای کم‌قدرت ایده‌آل است.

نتیجه‌گیری

ترانزیستور B647 یک گزینه مناسب برای استفاده در مدارهای تقویت‌کننده و پروژه‌های عمومی الکترونیکی است. با بهره‌گیری از ویژگی‌هایی مانند توان مصرفی پایین، عملکرد در دماهای بالا و فرکانس انتقال بالا، این ترانزیستور برای تقویت سیگنال‌ها و سایر کاربردهای الکترونیکی انتخابی ایده‌آل است.