ترازنیستور B649

ترانزیستور B649 

ترانزیستور PNP با توان بالا برای تقویت‌کننده‌های صوتی و ویدئویی

ترانزیستور B649 یک ترانزیستور PNP از نوع BJT است که از سیلیکون به عنوان ماده نیمه‌هادی ساخته شده و برای تقویت‌کننده‌های صوتی، ترانزیستورهای قدرت و سوئیچینگ در مدارهای الکترونیکی طراحی شده است. این ترانزیستور با توان مصرفی ۲۰ وات، حداکثر جریان ۱٫۵ آمپر، و حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر ۱۲۰ ولت، برای استفاده در مرحله‌های تقویت صوتی و مدارهای ویدئویی مناسب است.

مشخصات ترانزیستور B649:

• جنس نیمه‌هادی: سیلیکون (Si)
• قطبیت: PNP
• حداکثر توان مصرفی (Pc): 20 وات
• حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb): 180 ولت
• حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce): 120 ولت
• حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb): 5 ولت
• حداکثر جریان کلکتور (Ic): 1.5 آمپر
• حداکثر دمای محل پیوند (Tj): 150 درجه سانتی‌گراد
• انتقال فرکانس (Ft): 140 مگاهرتز
• ظرفیت خازنی کلکتور (Cc): 27 پیکوفاراد
• حداقل بهره جریان (Hfe): 30
• قاب ترانزیستور: TO126

کاربردها:

• تقویت‌کننده‌های فرکانس صوتی (Audio Frequency Stage)
• ترانزیستور قدرت (Power Transistor)
• سوئیچینگ (Switching)
• ترانزیستور ویدئویی (Video Transistor)