ترانزیستور MOSFET قدرت ۹A، ۹۰۰V کانال N
این MOSFET قدرت N-Channel با ولتاژ شکست Drain-Source (Vds) برابر ۹۰۰ ولت و جریان Drain مداوم (Id) 9 آمپر است که مناسب برای کاربردهای ولتاژ بالا و جریان متوسط می‌باشد. بسته‌بندی این محصول به صورت TO-247-3 بوده و مقاومت Drain-Source (Rds On) کمتر از ۱٫۲ اهم است. همچنین، ولتاژ Gate-Source (Vgs) تا ±۳۰ ولت قابل تحمل می‌باشد، که باعث انعطاف‌پذیری بیشتر در طراحی مدارها می‌شود.
ویژگی‌ها:
- نوع ترانزیستور: MOSFET قدرت کانال N
- ولتاژ شکست Drain-Source (Vds): 900 ولت
- جریان مداوم Drain (Id): 9 آمپر
- مقاومت Drain-Source (Rds On): کمتر از ۱٫۲ اهم
- ولتاژ Gate-Source (Vgs): ±۳۰ ولت
- بسته‌بندی: TO-247-3
- تعداد کانال: ۱
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.