ماسفت IXFH20N60 – MOSFET N-کانال ۶۰۰ ولت ۲۰ آمپر
ماسفت IXFH20N60 یک MOSFET قدرت N-کانال با ولتاژ ۶۰۰ ولت و جریان ۲۰ آمپر است که به‌ویژه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت، مدارهای DC-DC، و منابع تغذیه سوئیچینگ طراحی شده است. این تراشه دارای ویژگی‌های برجسته‌ای همچون توان حداکثر اتلاف ۴۱۶ وات و دمای حداکثر ۱۵۰ درجه سانتی‌گراد می‌باشد که آن را برای کاربردهای صنعتی و سیستم‌های توان بالا مناسب می‌سازد.
مشخصات فنی ماسفت IXFH20N60
- نوع ترانزیستور: MOSFET N-کانال
- ولتاژ درین-سورس (Vds): 600 ولت
- جریان درین (Id): 20 آمپر
- ولتاژ گیت-سورس (Vgs): حداکثر ۳۰ ولت
- ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): 4 ولت
- توان اتلاف (Pd): 416 وات
- دمای کاری (Tj): حداکثر ۱۵۰ درجه سانتی‌گراد
- شارژ گیت (Qg): 170 نانوکولن
- زمان افزایش (tr): 130 نانوثانیه
- ظرفیت خروجی (Coss): 330 پیکوفاراد
- مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds(on)): 0.32 اهم
کاربردهای ماسفت IXFH20N60
ماسفت IXFH20N60 به‌طور گسترده در مدارهای سوئیچینگ قدرت، مبدل‌های DC-DC، منابع تغذیه سوئیچینگ، و سیستم‌های الکترونیکی صنعتی استفاده می‌شود. با توجه به توان حداکثر ۴۱۶ وات و دمای کاری بالا (۱۵۰°C)، این تراشه در مدارهایی که نیاز به جریان بالا و کنترل دقیق توان دارند، عملکرد عالی از خود نشان می‌دهد.
این MOSFET برای کاربردهایی مانند کنترل موتورهای الکتریکی، سیستم‌های شارژ باتری، منابع تغذیه DC-DC با کارایی بالا و مبدل‌های انرژی خورشیدی بسیار مناسب است.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.