آی سی درایور IR2113S اورجینال
درایور MOSFET و IGBT با ولتاژ و سرعت بالا
آی سی IR2113S یک درایور MOSFET و IGBT با ولتاژ و سرعت بالا است که دارای کانال‌های خروجی مستقل برای خروجی‌های بالا و پایین می‌باشد. این آی سی از فناوری‌های پیشرفته HVIC و CMOS ضد قفل برای ساخت منو لیتیک مقاوم در برابر شرایط سخت استفاده می‌کند. ورودی‌های منطقی این درایور با خروجی‌های استاندارد CMOS یا LSTTL سازگار است و از ولتاژ ۳٫۳V نیز پشتیبانی می‌کند.
ویژگی‌های کلیدی:
- درایور قدرت MOSFET و IGBT با ولتاژ بالا
- کانال‌های خروجی مستقل برای خروجی‌های بالا و پایین
- استفاده از فناوری HVIC و CMOS ضد قفل برای ساخت مقاوم
- سازگاری با ورودی‌های منطقی ۳٫۳V و استانداردهای CMOS و LSTTL
- دارای پالسی با جریان بالا و طراحی مرحله بافر برای کاهش تداخل درایور
- تأخیر پراپگیشن مطابقت یافته برای استفاده در برنامه‌های فرکانس بالا
- کانال شناور که می‌تواند برای درایو MOSFET یا IGBT در پیکربندی بالا (high-side) استفاده شود
کاربردها:
- درایوهای IGBT و MOSFET برای مدارات قدرت صنعتی
- سیستم‌های مدارهای سوئیچینگ قدرت و الکترونیک توان
- کاربردهای منابع تغذیه سوئیچینگ و سیستم‌های مبدل توان
توضیح متا: آی سی IR2113S یک درایور با ولتاژ بالا برای MOSFET و IGBT با سرعت بالا و توانایی استفاده در پیکربندی‌های بالا و پایین است. طراحی مقاوم و تطابق با ولتاژهای ۳٫۳V برای ورودی‌های منطقی از ویژگی‌های این آی سی است.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.