ماسفت IXFH20N60

ماسفت IXFH20N60 – MOSFET N-کانال 600 ولت 20 آمپر

ماسفت IXFH20N60 یک MOSFET قدرت N-کانال با ولتاژ 600 ولت و جریان 20 آمپر است که به‌ویژه برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت، مدارهای DC-DC، و منابع تغذیه سوئیچینگ طراحی شده است. این تراشه دارای ویژگی‌های برجسته‌ای همچون توان حداکثر اتلاف 416 وات و دمای حداکثر 150 درجه سانتی‌گراد می‌باشد که آن را برای کاربردهای صنعتی و سیستم‌های توان بالا مناسب می‌سازد.

مشخصات فنی ماسفت IXFH20N60

• نوع ترانزیستور: MOSFET N-کانال
• ولتاژ درین-سورس (Vds): 600 ولت
• جریان درین (Id): 20 آمپر
• ولتاژ گیت-سورس (Vgs): حداکثر 30 ولت
• ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): 4 ولت
• توان اتلاف (Pd): 416 وات
• دمای کاری (Tj): حداکثر 150 درجه سانتی‌گراد
• شارژ گیت (Qg): 170 نانوکولن
• زمان افزایش (tr): 130 نانوثانیه
• ظرفیت خروجی (Coss): 330 پیکوفاراد
• مقاومت درین-سورس در حالت روشن (Rds(on)): 0.32 اهم

کاربردهای ماسفت IXFH20N60

ماسفت IXFH20N60 به‌طور گسترده در مدارهای سوئیچینگ قدرت، مبدل‌های DC-DC، منابع تغذیه سوئیچینگ، و سیستم‌های الکترونیکی صنعتی استفاده می‌شود. با توجه به توان حداکثر 416 وات و دمای کاری بالا (150°C)، این تراشه در مدارهایی که نیاز به جریان بالا و کنترل دقیق توان دارند، عملکرد عالی از خود نشان می‌دهد.

این MOSFET برای کاربردهایی مانند کنترل موتورهای الکتریکی، سیستم‌های شارژ باتری، منابع تغذیه DC-DC با کارایی بالا و مبدل‌های انرژی خورشیدی بسیار مناسب است.