آی سی درایور IR2113S اورجینال

آی سی درایور IR2113S اورجینال

درایور MOSFET و IGBT با ولتاژ و سرعت بالا

آی سی IR2113S یک درایور MOSFET و IGBT با ولتاژ و سرعت بالا است که دارای کانال‌های خروجی مستقل برای خروجی‌های بالا و پایین می‌باشد. این آی سی از فناوری‌های پیشرفته HVIC و CMOS ضد قفل برای ساخت منو لیتیک مقاوم در برابر شرایط سخت استفاده می‌کند. ورودی‌های منطقی این درایور با خروجی‌های استاندارد CMOS یا LSTTL سازگار است و از ولتاژ 3.3V نیز پشتیبانی می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی:

• درایور قدرت MOSFET و IGBT با ولتاژ بالا
• کانال‌های خروجی مستقل برای خروجی‌های بالا و پایین
• استفاده از فناوری HVIC و CMOS ضد قفل برای ساخت مقاوم
• سازگاری با ورودی‌های منطقی 3.3V و استانداردهای CMOS و LSTTL
• دارای پالسی با جریان بالا و طراحی مرحله بافر برای کاهش تداخل درایور
• تأخیر پراپگیشن مطابقت یافته برای استفاده در برنامه‌های فرکانس بالا
• کانال شناور که می‌تواند برای درایو MOSFET یا IGBT در پیکربندی بالا (high-side) استفاده شود

کاربردها:

• درایوهای IGBT و MOSFET برای مدارات قدرت صنعتی
• سیستم‌های مدارهای سوئیچینگ قدرت و الکترونیک توان
• کاربردهای منابع تغذیه سوئیچینگ و سیستم‌های مبدل توان

توضیح متا: آی سی IR2113S یک درایور با ولتاژ بالا برای MOSFET و IGBT با سرعت بالا و توانایی استفاده در پیکربندی‌های بالا و پایین است. طراحی مقاوم و تطابق با ولتاژهای 3.3V برای ورودی‌های منطقی از ویژگی‌های این آی سی است.